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MOCVD废气处理设备特点

作者:admin  来源:本站  发表时间:2016-06-17 8:15:10  点击:578
MOCVD产品特点
□用途:用于生长2~4英寸的Ⅲ-Ⅴ族氮化物、砷化物等的外延片
□组成:由生长室、气体控制系统、真空及压力控制系统、气源/气柜系统、计算机控制系统等组成。系统各工艺参数均可由计算机自动控制(独立的工业控制计算机/ WINDOWS界面)
□MOCVD产品类型:科研型(R&D)
 MOCVD主要技术指标:
□工艺片规格:研发型,2英寸(1片/3片/7片) 
□反应腔温度:1300℃
□压力控制:0~800Torr连续可调
□激光干涉在位生长监测系统 
□反应气体:氨气,硅烷 
□携带气体/载气:氢气,氮气
□MO源:三甲基镓(TMGa),三乙基镓(TEG),三甲基铟(TMIn), 三甲基铝(TMAl),二茂基镁(Cp2Mg),二甲基辛(DMZ)等
 MOCVD产品供货形式: 
□可与大学、科研院所单位合作完成相应的整机制造。 
□可按要求提供相应的组件,如气路单元制造、反应室设计制造、电控设计制造、计算机控制系统、机柜加工、气瓶柜、气路盘/箱、尾气处理等等。 
□二手设备的更新改造。 产品类型:科研型(R&D) 
MOCVD应用领域:化合物半导体-LED/半导体照明等科研领域 
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